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FMUSER Original Neue MRFE6VP5600H RF Leistungstransistor Power MOSFET Transistor Für 600 watt FM Transmitter
FMUSER Original neuer MRFE6VP5600H HF-Leistungstransistor Leistungs-MOSFET-Transistor für 600-W-FM-Sender Übersicht: Diese äußerst robusten Geräte, MRFE6VP5600HR6 und MRFE6VP5600HSR6, sind für den Einsatz in Industriebereichen mit hohem VSWR (einschließlich Laser- und Plasmaerregern), Rundfunk (analog und digital), Luft- und Raumfahrt usw. konzipiert Funk-/landmobile Anwendungen. Es handelt sich um unübertroffene Eingangs- und Ausgangsdesigns, die die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs zwischen 1.8 und 600 MHz ermöglichen. Merkmale: * Unübertroffener Ein- und Ausgang ermöglicht die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs. * Das Gerät kann Single-Ended oder in einer Push-Pull-Konfiguration verwendet werden. * Qualifiziert für maximal 50 VDD-Operationen. * Charakter
Detail
Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
265 | 1 | 35 | 300 | DHL |
FMUSER Original Neue MRFE6VP5600H RF Leistungstransistor Power MOSFET Transistor Für 600 watt FM Transmitter
Überblick:
Diese Geräte mit hoher Robustheit, MRFE6VP5600HR6 und MRFE6VP5600HSR6, sind für den Einsatz in industriellen (einschließlich Laser- und Plasmaerregern), analogen und digitalen Rundfunk-, Luft- und Raumfahrt- sowie Funk- / Landmobilanwendungen konzipiert. Sie sind unübertroffene Eingangs- und Ausgangskonstruktionen, die eine Verwendung in einem weiten Frequenzbereich zwischen 1.8 und 600 MHz ermöglichen.
Merkmale:
* Unübertroffener Ein- und Ausgang für den Einsatz in einem weiten Frequenzbereich.
* Das Gerät kann einseitig oder in einer Push-Pull-Konfiguration verwendet werden.
* Qualifiziert bis zu einem Maximum von 50 VDD-Betrieb.
* Charakterisiert von 30 V bis 50 V für erweiterten Leistungsbereich.
* Geeignet für lineare Anwendung mit geeigneter Vorspannung.
* Integrierter ESD-Schutz mit größerem negativen Gate-Source-Spannungsbereich für verbesserten Class C-Betrieb.
* Charakterisiert mit seriell äquivalenten Großsignal-Impedanzparametern.
* RoHS-konform.
* In Band und Rolle. R6-Suffix = 150-Einheiten, 56-mm-Bandbreite, 13-Zollspule.
* Diese Produkte sind in unserem Produkt-Langlebigkeitsprogramm mit garantierter Versorgung für ein Minimum von 15 Jahren nach dem Start enthalten.
Schlüsselparameter:
Frequenz (Min) (MHz) |
1.8 |
Frequenz (max.) (MHz) |
600 |
Versorgungsspannung (Typ) (V) |
50 |
P1dB (typisch) (dBm) |
57.8 |
P1dB (typisch) (W) |
600 |
Ausgangsleistung (Typ) (W) bei Intermodulationspegel am Testsignal |
600.0 @ CW |
Testsignal |
1-TON |
Leistungsverstärkung (Typ) (dB) bei f (MHz) |
24.6 230 @ |
Wirkungsgrad (Typ) (%) |
75.2 |
Wärmewiderstand (spez.) (℃ / W) |
0.12 |
Klasse |
AB |
Abstimmung |
Unerreicht |
Die Technologie |
LDMOS |
HF-Leistungstabelle:
230 MHz Schmalband
Typische Leistung: VDD = 50 Volt, IDQ = 100 mA
Signaltyp |
Schmollmund (W) |
f (MHz) |
GPS (dB) |
D (%) |
IRL (dB) |
Puls (100 µs, 20% Einschaltdauer) |
600 Peak |
230 |
25.0 |
74.6 | -18 |
CW |
600 Durchschn |
230 | 24.6 | 75.2 | -17 |
Paket umfassen:
1*MRFE6VP5600H HF-Leistungstransistor
Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
265 | 1 | 35 | 300 | DHL |