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FMUSER Ursprünglicher neuer HF-Leistungstransistor SD2931-11 Hochleistungsverstärkungstransistor 20V MOSFET
FMUSER Original New SD2931-11 HF-Leistungstransistor 20-V-MOSFET-Transistor mit hoher Leistungsverstärkung Beschreibung: Der SD2931-11 ist ein goldmetallisierter N-Kanal-MOS-Feldeffekt-HF-Leistungstransistor. Da es elektrisch mit dem Standard-MOSFET SD2931 identisch ist, ist es für den Einsatz in 50-V-Gleichstrom-Großsignalanwendungen bis 230 MHz vorgesehen. Der SD2931-11 ist mechanisch kompatibel mit dem SD2931, bietet jedoch zusätzlich eine bessere Wärmekapazität (25% geringerer Wärmewiderstand) und stellt die besten Transistoren seiner Klasse für ISM-Anwendungen dar, bei denen Zuverlässigkeit und Robustheit entscheidende Faktoren sind. Eigenschaften: * Goldmetallisierung * Hervorragende thermische Stabilität * Gemeinsame Quelle
Detail
Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
108 | 1 | 35 | 143 | DHL |
FMUSER Ursprünglicher neuer HF-Leistungstransistor SD2931-11 Hochleistungsverstärkungstransistor 20V MOSFET
Beschreibung:
Der SD2931-11 ist ein goldmetallisierter N-Kanal MOS-Feldeffekt-HF-Leistungstransistor. Sein elektrisch identisch mit dem Standard SD2931 MOSFET, es ist für den Einsatz in 50 V DC groß vorgesehen Signalanwendungen bis 230 MHz. Der SD2931-11 ist mechanisch kompatibel zu SD2931 bietet aber zusätzlich eine bessere Thermik Fähigkeit (25% niedrigerer Wärmewiderstand), Repräsentation der klassenbesten Transistoren für ISM Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Robustheit gefragt sind Kritische Faktoren.
Merkmale:
* Goldmetallisierung
* Ausgezeichnete thermische Stabilität
* Gemeinsame Quellkonfiguration
* POUT = 150 W min. mit 14 dB Verstärkung @ 175MHz
* Thermisch verbesserte Verpackung für niedriger
* Sperrschichttemperaturen
* GFS- und VGS-Sortierung am Gerät markiert
Speziafication:
* Serie: SD2931* Produktkategorie: HF-MOSFET-Transistoren
* Transistorpolarität: N-Kanal
* Technologie: Si
* Id - Kontinuierlicher Drainstrom: 20 A
* Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 125 V
* Gewinnen: 15 dB
* Ausgangsleistung: 150 W
* Minimale Betriebstemperatur: - 65 C
* Maximale Betriebstemperatur: + 200 C
* Montageart: Schraubmontage
* Verpackung: Bulk
* Konfiguration: Single Dual Source
* Höhe: 7.11 mm (max.)
* Länge: 24.89 mm (max.)
* Betriebsfrequenz: 230 MHz
* Breite: 12.83 mm (max.)
* Channel Mode: Verbesserung
* Pd - Verlustleistung: 389 W
* Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
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