FMUSER Original Neu MRF6V2150NB SMD-HF-Leistungstransistorröhre Hochfrequenzröhre Leistungsverstärkungsmodul Leistung MOSFET-Transistor-HF-Transistor-FMUSER FM / TV-Broadcast-One-Stop-Lieferant

FMUSER Original Neu MRF6V2150NB SMD-HF-Leistungstransistorröhre Hochfrequenzröhre Leistungsverstärkungsmodul Leistung MOSFET-Transistor FMUSER Original neuer MRF6V2150NB HF-Leistungstransistor Leistung MOSFET-Transistor, der hauptsächlich für Breitband-Großsignalausgangs- und Treiberanwendungen mit Frequenzen bis zu 450 MHz entwickelt wurde. Geräte sind unübertroffen und für industrielle, medizinische und wissenschaftliche Anwendungen geeignet. Produktdetails: Teilenummer: MRF6V2150NB Beschreibung: Seitlicher N-Kanal-Single-Ended-Breitband-HF-Leistungs-MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Merkmale: Typische CW-Leistung bei 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt Leistung

Detail

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Preis (USD)	Menge (PCS)	Versand (USD)	Total (USD)	Versandmethode	Bezahlung
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FMUSER Original Neu MRF6V2150NB SMD RF P.ower Transistorröhre Hochfrequenzröhre Leistungsverstärkungsmodul Leistung MOSFET Transistor

FMUSER original neu MRF6V2150NB HF-Leistungstransistor Leistung MOSFET Transistor dEs wurde hauptsächlich für Breitband-Großsignalausgangs- und Treiberanwendungen entwickeltmit Frequenzen bis 450 MHz. Geräte sind unübertroffen und geeignet fürVerwendung in industriellen, medizinischen und wissenschaftlichen Anwendungen

Produktdetails:

PArt. Nummer: MRF6V2150NB

Beschreibung: Seitlicher N-Kanal-Single-Ended-Breitband-HF-Leistungs-MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V.

Merkmale:

Typische CW-Leistung bei 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt
Leistungsgewinn: 25.5 dB
Entwässerungseffizienz: 69%
Geeignet für 10: 1 VSWR, bei 50 VDC, 210 MHz, 150 Watt Ausgangsleistung
Integrierte ESD-Schutz
Hervorragende thermische Stabilität
Erleichtert manuelle Verstärkungsregelung, ALC- und Modulationstechniken
225 ° C fähiges Kunststoffpaket
RoHS-konform

Allgemeine Parameter:

Transistortyp: LDMOS

Technologie: Si

Anwendungsbranche: ISM, Broadcast

Anwendung: Wissenschaftlich, Medizinisch

CW / Puls: CW

Frequenz: 10 bis 450 MHz

Leistung: 51.76 dBm

Leistung (W): 149.97 W.

CW Leistung: 150 W.

Leistungsverstärkung (Gp): 23.5 bis 26.5 dB

Eingangsrückflussdämpfung: -17 bis -3 dB

VSWR: 10.00: 1

Polarität: N-Kanal

Versorgungsspannung: 50 V.

Schwellenspannung: 1 bis 3 VDC

Durchbruchspannung - Drain-Source: 110 V.

Spannung - Gate-Source (Vgs): - 0.5 bis 12 VDC

Entwässerungseffizienz: 0.683

Ablassstrom: 450 mA

Impedanz Zs: 50 Ohm

Wärmewiderstand: 0.24 ° C / W.

Verpackungsart: Flansch

Paket: FALL 1484--04, STIL 1 BIS - 272 WB - 4 KUNSTSTOFF

RoHS: Ja

Betriebstemperatur: 150 Grad C.

Lagertemperatur: -65 bis 150 Grad

Paket beinhaltet:
1xMRF6V2150NB HF-Leistungstransistor

Preis (USD)	Menge (PCS)	Versand (USD)	Total (USD)	Versandmethode	Bezahlung
89	1	0	89	Luftpost-Verschiffen
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