FMUSER Original Neu MRF6VP11KH HF-Leistungstransistor Leistung MOSFET Transistor-HF-Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop-Lieferant

FMUSER Original Neu MRF6VP11KH HF-Leistungstransistor Leistung MOSFET-Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 wurde hauptsächlich für gepulste Breitbandanwendungen mit Frequenzen bis zu 150 MHz entwickelt. Das Gerät ist unübertroffen und für den Einsatz in industriellen, medizinischen und wissenschaftlichen Anwendungen geeignet. Merkmale Typische gepulste Leistung bei 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt Peak (200 W Durchschn.), Pulsbreite = 100 µs, Arbeitszyklus = 20% Leistungsgewinn: 26 dB Drain-Effizienz: 71 % Handhabungsfähig 10: 1 VSWR, bei 50 VDC, 130 MHz, 1000 Watt Spitzenleistung, charakterisiert mit serienäquivalenten Impedanzparametern für große Signale CW-Betriebsfähigkeit mit ausreichender Kühlung qualifiziert bis maximal 50 VDD-Betrieb Integrierter ESD-Schutz

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FMUSER Original Neuer MRF6VP11KH HF-Leistungstransistor Leistung MOSFET-Transistor

Der FMUSER MRF6VP11KHR6 wurde hauptsächlich für gepulste Breitbandanwendungen mit Frequenzen bis zu 150 MHz entwickelt. Das Gerät ist unübertroffen und für den Einsatz in industriellen, medizinischen und wissenschaftlichen Anwendungen geeignet.

Eigenschaften

Typische gepulste Leistung bei 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt Peak (200 W Durchschn.), Pulsbreite = 100 us, Arbeitszyklus = 20%
Leistungsgewinn: 26 dB
Drain-Wirkungsgrad: 71%
In der Lage, 10 zu handhaben: 1 VSWR, 50 VDC, 130 MHz, 1000 Watt Peak Power
Charakterisiert mit serienäquivalenten Großsignal-Impedanzparametern
CW-Betriebsfähigkeit mit ausreichender Kühlung
Qualifiziert bis zu einem Maximum von 50 VDD Betrieb
Integrierte ESD-Schutz
Entwickelt für Push-Pull-Betrieb
Größerer negativer Gate-Source-Spannungsbereich für verbesserten Betrieb der Klasse C
RoHS-konform
In Band und Rolle. R6-Suffix = 150 Einheiten pro 56 mm, 13 Zoll Rolle

Normen

Transistortyp: LDMOS
Technologie: Si
Anwendungsbranche: ISM, Broadcast
Anwendung: Wissenschaftlich, Medizinisch
CW / Puls: CW
Frequenz: 1.8 bis 150 MHz
Leistung: 53.01 dBm
Leistung (W): 199.99 W.
P1dB: 60.57dBm
Spitzenausgangsleistung: 1000 W.
Gepulste Breite: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Leistungsverstärkung (Gp): 24 bis 26 dB
Eingangsrückgabe: Verlust: -16 bis -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polarität: N-Kanal
Versorgungsspannung: 50 V.
Schwellenspannung: 1 bis 3 VDC
Durchbruchspannung - Drain-Source: 110 V.
Spannung - Gate-Quelle: (Vgs): - 6 bis 10 VDC
Entwässerungseffizienz: 0.71
Ablassstrom: 150 mA
Impedanz Zs: 50 Ohm
Wärmewiderstand: 0.03 ° C / W.
Verpackung: Typ: Flansch
Paket: CASE375D - 05 STYLE 1 NI - 1230--4
RoHS: Ja
Betriebstemperatur: 150 Grad C.
Lagertemperatur: -65 bis 150 Grad C.