Die FMUSER Original MRF151 To-59 Hochfrequenzröhre 150 W, 50 V, 175 MHz N-Kanal-Breitband-MOSFET-HF-Leistung Feldeffekttransistor-HF-Transistor-FMUSER FM / TV-Broadcast-One-Stop-Lieferant

Die FMUSER Original MRF151 To-59 Hochfrequenzröhre 150 W, 50 V, 175 MHz N-Kanal-Breitband-MOSFET-HF-Leistungsfeldeffekttransistor Übersicht Die Geräte der MRF-Serie sind Hochleistungs-Bipolartransistoren mit 1 MHz bis 3.5 GHz. Diese Tech-Bipolartransistoren sind ideal für Avionik-, Kommunikations-, Radar- sowie industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen. Geräte der MRF-Serie sind Teil einer breiten Palette von HF-Leistungstransistoren, zu denen auch Palettenverstärker, TMOS- und DMOS-Transistoren sowie LDMOS-Transistoren gehören. Merkmale ● Garantierte Leistung bei 30 MHz, 50 V: ● Ausgangsleistung - 150 W ● Verstärkung - 18 dB (Typ 22 dB) ● Wirkungsgrad - 40% ● Typische Leistung bei 175 MHz, 50 V: ● Ou

Detail

Zurück:FMUSER Original neuer SD2932 HF-Leistungstransistor, 50 V MOSFET-Transistor mit hoher Leistungsverstärkung

Nächster:Der FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF-MOSFETs N-Kanal-MOS-Feldeffekt-Breitband-HF-Leistungsfeldeffekttransistor

Preis (USD)	Menge (PCS)	Versand (USD)	Total (USD)	Versandmethode	Bezahlung
149	1	0	149	DHL
				DHL

Die FMUSER Original MRF151 To-59 Hochfrequenzröhre

150 W, 50 V, 175 MHz N-Kanal-Breitband-MOSFET-HF-Leistungsfeldeffekttransistor

Überblick

Geräte der MRF-Serie sind Hochleistungs-Bipolartransistoren mit 1 MHz bis 3.5 GHz. Diese Tech-Bipolartransistoren sind ideal für Avionik-, Kommunikations-, Radar- sowie industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen. Geräte der MRF-Serie sind Teil einer breiten Palette von HF-Leistungstransistoren, zu denen auch Palettenverstärker, TMOS- und DMOS-Transistoren sowie LDMOS-Transistoren gehören.

Eigenschaften

● Garantierte Leistung bei 30 MHz, 50 V:
● Ausgangsleistung - 150 W
● Gewinnen Sie - 18 dB (22 dB Typ)
● Effizienz - 40%
● Typische Leistung bei 175 MHz, 50 V:
● Ausgangsleistung - 150 W
● Gewinnen Sie - 13 dB

● Geringer Wärmewiderstand
● Robustheit bei Nennausgangsleistung getestet
● Nitrid-passivierte Matrize für erhöhte Zuverlässigkeit

Beschreibung

HF-MOSFET-Transistoren 5-175 MHz 150 Watt 50 Volt Verstärkung 18 dB. Entwickelt für kommerzielle und militärische Breitbandanwendungen bei Frequenzen bis 175 MHz. Die hohe Leistung, die hohe Verstärkung und die Breitbandleistung dieses Geräts ermöglichen Festkörpersender für FM-Rundfunk- oder Fernsehkanalfrequenzbänder.

Normen

● Produktkategorie: HF-MOSFET-Transistoren
● Transistorpolarität: N-Kanal
● Id - Kontinuierlicher Ablassstrom: 16 A
● Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 125 V
● Verstärkung: 13 dB
● Ausgangsleistung: 150 W
● Minimale Betriebstemperatur: - 65 C.
● Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
● Montageart: SMD / SMT
● Paket / Fall: 221-11-3
● Verpackung: Tablett
● Konfiguration: Single
● Arbeitsfrequenz: 175 MHz
● Pd - Verlustleistung: 300 W
● Produkttyp: HF-MOSFET-Transistoren
● Factory Pack Menge: 20
● Unterkategorie: MOSFETs
● Vgs - Gate-Source-Spannung: 40 V
● Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 3 V