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FMUSER Ursprüngliches neues MRF6VP2600H HF-Leistungstransistor-MOSFET-Transistor 500MHz 600W Seitliches N-Kanal-Breitband
FMUSER Original Neu MRF6VP2600H HF-Leistungstransistor MOSFET-Transistor 500 MHz 600 W Seitliches N-Kanal-Breitband Übersicht Der MRF6VP2600H wurde hauptsächlich für Breitbandanwendungen mit Frequenzen bis zu 500 MHz entwickelt. Das Gerät ist unübertroffen und für die Verwendung in Broadcast-Anwendungen geeignet. Merkmale * Typische DVB-T OFDM-Leistung: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Durchschn., F = 225 MHz, Kanalbandbreite = 7.61 MHz, Eingangssignal PAR = 9.3 dB bei 0.01% Wahrscheinlichkeit bei CCDF. Leistungsgewinn: 25 dBDrain-Wirkungsgrad: 28.5% ACPR bei 4 MHz Offset: –61 dBc bei 4 kHz Bandbreite * Typische gepulste Leistung: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt Peak, f = 225 MHz, Pulsbreite = 100
Detail
| Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
| 245 | 1 | 35 | 280 | DHL |
FMUSER Original New MRF6VP2600H HF-Leistungstransistor MOSFET-Transistor 500 MHz 600 W seitliches N-Kanal-Breitband
Überblick
Der MRF6VP2600H wurde hauptsächlich für Breitbandanwendungen mit Frequenzen bis zu 500 MHz entwickelt. Das Gerät ist unübertroffen und eignet sich für den Einsatz in Rundfunkanwendungen.
Eigenschaften
* Typische DVB-T OFDM-Leistung: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Durchschnitt, f = 225 MHz, Kanalbandbreite = 7.61 MHz, Eingangssignal PAR = 9.3 dB bei 0.01% Wahrscheinlichkeit bei CCDF.Power Gain : 25 dBDrain-Effizienz: 28.5% ACPR bei 4 MHz Offset: –61 dBc bei 4 kHz Bandbreite
* Typische gepulste Leistung: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt Spitze, f = 225 MHz, Impulsbreite = 100 µs, Arbeitszyklus = 20% Leistungsgewinn: 25.3 dBDrain-Effizienz: 59%
* Kann 10 verarbeiten: 1 VSWR, 50 VDC, 225 MHz, 600 Watt Spitzenleistung, Impulsbreite = 100 µsec, Einschaltdauer = 20%
* Charakteristisch für serielle äquivalente Parameter für große Signale
* CW-Betriebsfähigkeit mit ausreichender Kühlung
* Qualifiziert Bis maximal 50 VDD-Betrieb
* Integrierte ESD-Schutz
* Entwickelt für Push-Pull-Betrieb
* Größerer negativer Gate-Source-Spannungsbereich für verbesserten Betrieb der Klasse C
* RoHS-konform
* In Band und Rolle. R6-Suffix = 150-Einheiten pro 56-mm-Rolle, 13-Zoll.
Normen
Frequenz (Min) (MHz): 2
Frequenz (max) (MHz): 500
Versorgungsspannung (Typ) (V): 50
P1dB (Typ) (dBm): 57.8
P1dB (Typ) (W): 600
Ausgangsleistung (Typ) (W) @ Intermodulationspegel bei Testsignal: 125.0 @ AVG
Testsignal: OFDM
Leistungsverstärkung (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225
Effizienz (Typ) (%): 28.5
Wärmewiderstand (Spec) (℃ / W): 0.2
Matching: unerreicht
Klasse: AB
Die Technologie: LDMOS
| Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
| 245 | 1 | 35 | 280 | DHL |
