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MRFE6VP5300N HF-LEISTUNGS-MOSFET-TRANSISTOR

 MRFE6VP5300N HF-LEISTUNGSMOSFET-TRANSISTOR Beschreibung Diese Geräte mit hoher Robustheit, MRFE6VP5300NR1 und MRFE6VP5300GNR1, sind für den Einsatz in Industrie- (einschließlich Laser- und Plasmaerreger), Rundfunk- (analog und digital), Luft- und Raumfahrt- sowie Funk- / Landmobilanwendungen mit hohem VSWR ausgelegt. Es handelt sich um unübertroffene Eingangs- und Ausgangsentwürfe, die eine breite Frequenzbereichsauslastung zwischen 1.8 und 600 MHz ermöglichen. Merkmale ● Breiter Betriebsfrequenzbereich ● Extreme Robustheit ● Unübertroffener Ein- und Ausgang ermöglicht die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs ● Integrierte Stabilitätsverbesserungen ● Geringer Wärmewiderstand ● Integrierte ESD-Schutzschaltung ● RoHS-konform ● In Band und Rolle. R1-Suffix = 500 Einheiten, 44 mm Bandbreite, 13-Zoll-Rolle. Schlüsselparameter

Detail

Preis (USD) Menge (PCS) Versand (USD) Total (USD) Versandmethode Bezahlung
135 1 0 135 DHL

 



 MRFE6VP5300N  HF-LEISTUNGSMOSFET-TRANSISTOR


Beschreibung

Diese Geräte mit hoher Robustheit, MRFE6VP5300NR1 und MRFE6VP5300GNR1, sind für den Einsatz in Industrie- (einschließlich Laser- und Plasmaerreger), Rundfunk- (analog und digital), Luft- und Raumfahrt- sowie Radio- / Landmobilanwendungen mit hohem VSWR ausgelegt. Sie sind unübertroffene Eingangs- und Ausgangsdesigns, die eine breite Frequenzbereichsauslastung zwischen 1.8 und 600 MHz ermöglichen.

Eigenschaften
Breiter Betriebsfrequenzbereich
Extreme Robustheit
Unerreichte Eingabe und Ausgabe, die eine breite Frequenzbereichsausnutzung erlaubt
Integrierte Stabilitätsverbesserungen
Geringer Wärmewiderstand
Integrierte ESD-Schutzschaltung
RoHS-konform
In Band und Rolle. R1-Suffix = 500-Einheiten, 44 mm Bandbreite, 13-Zoll-Rolle.

Schlüsselparameter
Frequenz (min) 1.8 (MHz)
Frequenz (max.) 600 (MHz)
Versorgungsspannung (Typ) 50 (V)
P1dB (Typ) 54.8 (dBm)
P1dB (Typ) 300 (W)
Ausgangsleistung (Typ) (W) @ Intermodulationspegel bei Testsignal 300.0 @ CW
Testsignal CW
Leistungsgewinn (Typ) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
Wirkungsgrad (Typ) 70 (%)

Wärmewiderstand (spez.) 0.22 (℃ / W)




Paket umfassen

1x MRFE6VP5300N   RF Transistor



 

 

Preis (USD) Menge (PCS) Versand (USD) Total (USD) Versandmethode Bezahlung
135 1 0 135 DHL

 

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