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Der FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF-MOSFETs N-Kanal-MOS-Feldeffekt-Breitband-HF-Leistungsfeldeffekttransistor
Der FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF-MOSFETs N-Kanal-MOS-Feldeffekt Breitband-HF-Leistung Feldeffekttransistor Beschreibung Der SD2941-10 ist ein goldmetallisierter N-Kanal-MOS-Feldeffekt-HF-Leistungstransistor, der zur Verwendung in bestimmt ist 28 V bis 50 V DC Großsignalanwendungen bis 230 MHz. Es bietet 25% weniger RDS (ein) als der Industriestandard und 20% mehr PSAT als das SD2931-10-Gerät von ST. Der SD2941-10 ist im M174-Gehäuse ohne Sockel untergebracht und bietet einen um 25% geringeren Wärmewiderstand als der Industriestandard. Damit ist er der "Best-in-Class" -Transistor für ISM-Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Robustheit von entscheidender Bedeutung sind . Spezifisch
Detail
Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
79 | 1 | 0 | 79 | Luftpost |
Beschreibung
Der SD2941-10 ist ein goldmetallisierter N-Kanal HF-Leistungstransistor mit MOS-Feldeffekt, vorgesehen für Verwendung in Großsignalanwendungen mit 28 V bis 50 V Gleichstrom bis bis 230 MHz. Es bietet 25% weniger RDS (on) als das Industriestandard mit 20% höherem PSAT als ST SD2931-10 Gerät. Der SD2941-10 ist im niedrigen thermischen M174 Nicht-Sockel untergebracht Paket mit 25% geringerem Wärmewiderstand als der Industriestandard, so dass es die "Best-in-Class" -Transistor für ISM-Anwendungen, wo Zuverlässigkeit und Robustheit entscheidend sind Faktor.
Spezifikationen
● Produktkategorie:HF-MOSFET-Transistoren
● Transistorpolarität: N-Kanal
● Id – Dauerstrom: 20 A
● Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 130 V
● Verstärkung: 15.8 dB
● Ausgangsleistung: 175 W
● Mindestbetriebstemperatur: - 65 ° C.
● Maximale Betriebstemperatur: + 150 ° C.
● Montagestil: SMD / SMT
● Paket / Fall: M174
● Verpackung: Bulk
● Konfiguration:Einzeln
● Höhe: 7.11 mm
● Länge: 24.89 mm
● Betriebsfrequenz: 230 MHz
● Serie: SD2941
● Typ: HF-Leistungs-MOSFET
● Breite: 12.83 mm
● Vorwärts-Transkonduktanz - Min: 6 S.
● Kanalmodus: Verbesserung
● Pd - Verlustleistung: 389 W.
● Produkttyp: HF-MOSFET-Transistoren
● Factory Pack Menge: 25
● Unterkategorie: MOSFETs
● Vgs – Gate-Source-Spannung: 20 V
Eigenschaften
● Goldmetallisierung
● Ausgezeichnete thermische Stabilität
● Gemeinsame Quellkonfiguration
● POUT = 175 W min. mit 15 dB Verstärkung bei 175
MHz, 50 V.
● POUT = 135 W typ. mit 14 dB Verstärkung bei 123 MHz,
28 V
● Niedriges RDS(ein)
● Thermisch verbesserte Verpackung für niedriger
● Sperrschichttemperaturen
● In Übereinstimmung mit der europäischen 2002/95 / EC1
Richtlinien
Preis (USD) | Menge (PCS) | Versand (USD) | Total (USD) | Versandmethode | Bezahlung |
79 | 1 | 0 | 79 | Luftpost |