N-Kanal-MOSFET-Grundlagen

Ein N-Kanal-MOSFET ist ein MOSFET-Typ, bei dem der Kanal des MOSFET aus einer Mehrheit von Elektronen als Stromträger besteht. Wenn der MOSFET aktiviert und eingeschaltet ist, fließt der Großteil des Stroms durch Elektronen, die sich durch den Kanal bewegen.

Dies steht im Gegensatz zu den anderen MOSFET-Typen, bei denen es sich um P-Kanal-MOSFETs handelt, bei denen die Mehrheit der Stromträger Löcher sind.

Bevor wir die Konstruktion von N-Kanal-MOSFETs durchgehen, müssen wir die 2 existierenden Typen durchgehen. Es gibt 2 Arten von N-Kanal-MOSFETs, MOSFETs vom Anreicherungstyp und MOSFETs vom Verarmungstyp.

Ein MOSFET vom Verarmungstyp ist normalerweise eingeschaltet (maximaler Strom fließt von Drain zu Source), wenn kein Spannungsunterschied zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen besteht. Wird jedoch an seinem Gate-Anschluss eine Spannung angelegt, wird der Drain-Source-Kanal widerstandsfä- higer, bis die Gate-Spannung so hoch ist, dass der Transistor vollständig abschaltet. Ein MOSFET vom Anreicherungstyp ist das Gegenteil. Es ist normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung 0 ist (VGS = 0). Wenn jedoch eine Spannung an seinen Gate-Anschluss angelegt wird, wird der Drain-Source-Kanal weniger ohmsch.

In diesem Artikel werden wir besprechen, wie sowohl der N-Kanal-Anreicherungstyp als auch der Verarmungstyp aufgebaut sind und arbeiten.

Wie N-Kanal-MOSFETs intern aufgebaut sind

Ein N-Kanal-MOSFET besteht aus einem N-Kanal, einem Kanal, der aus einer Mehrheit von Elektronenstromträgern besteht. Die Gate-Anschlüsse bestehen aus P-Material. Abhängig von der Spannungsmenge und -art (negativ oder positiv) bestimmt, wie der Transistor arbeitet, ob er ein- oder ausschaltet.

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Wie ein MOSFET vom N-Kanal-Anreicherungstyp funktioniert

So schalten Sie einen MOSFET vom Typ N-Kanal-Verstärkung ein

Um einen n-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp einzuschalten, legen Sie eine ausreichende positive Spannung VDD an den Drain des Transistors und eine ausreichende positive Spannung an das Gate des Transistors an. Dadurch kann ein Strom durch den Drain-Source-Kanal fließen.

Mit einer ausreichenden positiven Spannung VDD und einer ausreichenden positiven Spannung, die an das Gate angelegt wird, ist der N-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp voll funktionsfähig und befindet sich im 'EIN'-Betrieb.

So schalten Sie einen MOSFET vom Typ N-Kanal-Verstärkung aus

Um einen N-Kanal Enhancement MOSFET auszuschalten, gibt es 2 Schritte, die Sie ausführen können. Sie können entweder die positive Vorspannung VDD abschneiden, die den Drain mit Strom versorgt. Oder Sie können die positive Spannung zum Gate des Transistors ausschalten.

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Wie ein N-Kanal-MOSFET vom Verarmungstyp funktioniert

So schalten Sie einen N-Kanal-MOSFET vom Verarmungstyp ein

Um einen N-Kanal-MOSFET vom Verarmungstyp einzuschalten, um einen maximalen Stromfluss von Drain zu Source zu ermöglichen, sollte die Gatespannung auf 0 V eingestellt werden. Wenn die Gatespannung 0 V beträgt, leitet der Transistor die maximale Strommenge und befindet sich im aktiven EIN-Bereich. Um den Stromfluss vom Drain zur Source zu reduzieren, legen wir eine negative Spannung an das Gate des MOSFET an. Wenn die negative Spannung ansteigt (negativer wird), fließt immer weniger Strom vom Drain zur Source. Sobald die Spannung am Gate einen bestimmten Punkt erreicht, fließt kein Strom mehr vom Drain zur Source.

Bei einer ausreichenden positiven Spannung VDD und keiner an die Basis angelegten Spannung (0 V) befindet sich der N-Kanal-JFET im maximalen Betrieb und hat den größten Strom. Wenn wir die negative Spannung erhöhen, wird der Stromfluss reduziert, bis die Spannung so hoch (negativ) ist, dass der gesamte Stromfluss gestoppt wird.

So schalten Sie einen N-Kanal-MOSFET vom Verarmungstyp aus

Um den N-Kanal-MOSFET vom Verarmungstyp auszuschalten, können Sie zwei Schritte ausführen. Sie können entweder die positive Vorspannung VDD abschneiden, die den Drain mit Strom versorgt. Oder Sie können eine ausreichende negative Spannung an das Gate anlegen. Wenn eine ausreichende Spannung an das Gate angelegt wird, wird der Drainstrom gestoppt.

MOSFET-Transistoren werden sowohl für Schalt- als auch für Verstärkeranwendungen verwendet. MOSFETs sind vielleicht die heute am häufigsten verwendeten Transistoren. Aufgrund ihrer hohen Eingangsimpedanz ziehen sie sehr wenig Eingangsstrom, sie sind einfach herzustellen, können sehr klein gemacht werden und verbrauchen sehr wenig Strom.

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