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FMUSER Original Neu BLF245 Hochfrequenz-HF-Leistungstransistor Hochleistungs-MOSFET-Transistor

Original Neu BLF245 Hochfrequenz-Hochfrequenz-HF-Leistungstransistor Hochleistungs-MOSFET Silizium-N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikaler D-MOS-Transistor für Großsignalverstärkeranwendungen im UKW-Frequenzbereich. Der Transistor ist in einem 4-adrigen SOT123A-Flanschgehäuse mit einer Keramikkappe eingekapselt. Alle Leitungen sind vom Flansch isoliert. VGS-Gruppen (Matched Gate Source Source Voltage) sind auf Anfrage erhältlich. Merkmale und Vorteile: Hohe Leistungsverstärkung Geringe Rauschzahl Einfache Leistungsregelung Gute thermische Stabilität Widersteht Fehlanpassungen bei Volllast

Detail

Preis (USD) Menge (PCS) Versand (USD) Total (USD) Versandmethode Bezahlung
69 1 0 69 Luftpost

 


Ursprüngliche neue  BLF245 Hochfrequenz-Hochfrequenz-HF-Leistungstransistor Hochleistungs-MOSFET


Silizium N-Kanal-Anreicherungs vertikalen D-MOS Transistor für hohe Signalverstärkeranwendungen im VHF-Frequenzbereich ausgelegt. Der Transistor wird in einem 4-Blei SOT123A Flansch Paket eingekapselt, mit einer keramischen Kappe. Alle Leitungen sind von dem Flansch getrennt. Abgestimmt Gate-Source-Spannung (VGS) Gruppen sind auf Anfrage erhältlich.


Funktionen und Vorteile:
Hochleistungsverstärkung
Niedrige Rauschzahl
Einfache Leistungsregelung
Gute thermische Stabilität
Widersteht Volllast-Fehlanpassung




 

 

Preis (USD) Menge (PCS) Versand (USD) Total (USD) Versandmethode Bezahlung
69 1 0 69 Luftpost

 

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